 | 型号：Quanta 400 FEG 厂家：美国FEI | |
| 主要用途 | 1.可在高真空、低真空（130Pa)、环境真空(4000Pa)下观察导电和不导电样品，对材料的表面和横截面的微观形貌、成分进行分析，广泛应用于金属材料、高分子材料、半导体材料、纳米材料等领域； | |
| 2.配备的Apollo40 SDD能谱无需液氮制冷，可进行快速的点、线、面分布分析，获得能谱的mapping图谱； | ||
| 3.其样品室直径达284 mm，对于直径达四英寸硅片可以直接进行测试，无需对样品进行分割处理； | ||
| 4.附件MonoCL3+阴极荧光谱仪不仅可以测量材料微区在电子束激发下的发光光谱，而且可以进行成像 显示，从而可以对样品的禁带宽度、杂质缺陷等进行表征，获取更为丰富的信息； | ||
| 5.可以测量材料的电子束感生电流（EBIC）,从而获得材料内部结构缺陷等信息，与阴极荧光测量互为补充。 | ||
| 主要配置 | 1. MonoCL3+阴极荧光谱仪，波长范围160-930nm | 2.电子束感生电流（EBIC） |
| 3.STEM探测器 | 4.Apollo 40 SDD能谱仪 | |
| 5.液氮冷台，温度范围为-185℃- +200℃ | 6.液氦冷台，温度范围为6K-300K | |
| 性能指标 | 1.肖特基场发射电子枪 | 2.加速电压：200V-30 kV |
| 3.放大倍数：12-2,000,000 | 4.分辨率 | |
| 高真空 | - 0.8nm at 30kV (STEM) | - 1.2nm at 30kV (SE) |
| - 2.5nm at 30kV (BSE) | - 3.0nm at 1kV (SE) | |
| 低真空 | - 1.5nm at 30kV (SE) | - 2.5nm at 30kV (BSE) |
| - 3.0nm at 3kV (SE) | ||
| 环境真空 | - 1.5nm at 30kV (SE) | |
| 样品室 | 284mm，5轴马达台 | |
| EDS分辨率 | 优于136 eV，可分析包括B5以上的所有元素 | |
